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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關鍵核心技術,努力搶占科技制高點,為把我國建設成為世界科技強國作出新的更大的貢獻。

——習近平總書記在致中國科學院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實現(xiàn)科學技術跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設國際一流科研機構。

——中國科學院辦院方針

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“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動

2017-10-20 微電子研究所
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語音播報

  1017日,國家重點研發(fā)計劃“戰(zhàn)略性先進電子材料”重點專項“新型高密度存儲材料與器件”項目啟動會在中國科學院微電子研究所召開。

  會上,微電子所所長葉甜春和中科院院士、微電子重點實驗室主任劉明先后致辭。葉甜春對當前存儲器領域的形勢和現(xiàn)狀進行了總結和展望,表示要集中力量圍繞關鍵技術開展攻關,實現(xiàn)關鍵技術的不斷突破。項目負責人、微電子所研究員劉琦匯報了項目總體情況和實施方案。與會專家對項目的布局給予積極評價,并對項目的具體實施提出了寶貴意見。葉甜春代表微電子所向項目咨詢專家頒發(fā)了聘書。

  “新型高密度存儲材料與器件”面向大數(shù)據(jù)時代對海量數(shù)據(jù)存儲和處理的需求,研究相變、阻變、鐵電等新型存儲材料和器件的設計與制備關鍵技術,發(fā)展用于高密度存儲陣列的選通器件及三維集成技術,研制兼具信息存儲、邏輯、運算、編解碼等多功能的新型原型器件以及柔性阻變存儲器原型器件,將為我國發(fā)展具有自主知識產權的新型高性能存儲材料與器件奠定技術基礎。

會議現(xiàn)場

打印 責任編輯:陳丹

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