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太赫茲(THz)是一種頻率介于微波和紅外頻率之間的電磁波。然而,目前缺乏高效率、高集成度以及易調(diào)制的太赫茲輻射源。傳統(tǒng)太赫茲產(chǎn)生方式如光電導(dǎo)天線和電光晶體法,存在著太赫茲能量低、帶寬小、成本高和波長依賴等問題。
基于自旋電子學(xué)效應(yīng)的太赫茲產(chǎn)生方式由于具有激光波長依賴度低、超寬帶、高效率和高穩(wěn)定性等優(yōu)點,受到國內(nèi)外太赫茲研究人員的關(guān)注。增強電荷-自旋-軌道自由度之間的轉(zhuǎn)化效率,對于提升自旋電子-太赫茲輻射強度至關(guān)重要。
中國科學(xué)院金屬研究所沈陽材料科學(xué)國家研究中心功能材料與器件研究部基于此前在自旋電子學(xué)研究領(lǐng)域的積累,與中山大學(xué)物理學(xué)院合作,在多層膜異質(zhì)結(jié)構(gòu)中引入稀土金屬插層,發(fā)現(xiàn)了與稀土種類相關(guān)的自旋-軌道流轉(zhuǎn)化機制。研究發(fā)現(xiàn),在Pt/CoFeB(/Ti)異質(zhì)結(jié)中,太赫茲的產(chǎn)生主要依靠逆自旋霍爾效應(yīng)和逆軌道霍爾效應(yīng)實現(xiàn)自旋-電荷、自旋-軌道-電荷流的轉(zhuǎn)化,從而對外輻射太赫茲脈沖。研究顯示,將稀土金屬Nd、Gd和Ho插入到CoFeB和Ti層中間后,稀土的自旋軌道耦合影響了CoFeB-Ti一側(cè)的自旋-軌道流轉(zhuǎn)化過程。輕稀土Nd將負(fù)極化的自旋流轉(zhuǎn)化為負(fù)極化的軌道流,進而在Ti層中轉(zhuǎn)化為負(fù)極化的電荷流,導(dǎo)致含稀土Nd插層樣品的太赫茲峰對峰強度弱于對照樣品Pt/CFB/Ti的強度值。反之,重稀土Gd和Ho將負(fù)極化的自旋流轉(zhuǎn)化為正極化的軌道流,且在Ti層中轉(zhuǎn)化為正極化的電荷流,從而在含重稀土插層的樣品中可觀察到增強的太赫茲峰對峰強度。同時,對照樣品Pt/CoFeB/RE、Pt/CoFeB/Ti/RE的太赫茲測量結(jié)果可以排除稀土金屬自身的自旋-電荷流轉(zhuǎn)化的影響。進一步,快速傅里葉變換結(jié)果證明,稀土金屬Gd有助于提高太赫茲輻射的整體頻譜范圍和強度。
9月19日,相關(guān)研究成果以Qualitative Identification of the Spin‐to‐Orbital Conversion Mechanism Modulated by Rare‐Earth Nd,?Gd,?and Ho Metals via Terahertz Emission Measurements為題,發(fā)表在《先進功能材料》(Advanced Functional Materials)上。研究工作得到國家自然科學(xué)基金和廣東省基礎(chǔ)與應(yīng)用基礎(chǔ)研究基金等的支持。
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