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　　近日，“極紫外（EUV）光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目驗收會在中國科學院長春光學精密機械與物理研究所（以下簡稱長春光機所）召開，驗收會由“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”國家科技重大專項（02專項）實施管理辦公室組織。
　　會上，評審專家組肯定了項目取得的一系列成果，一致同意項目通過驗收，認為該項目的順利實施將我國極紫外光刻技術(shù)研發(fā)向前推進了重要一步。
　　極紫外光刻是一種采用波長13.5nm極紫外光為工作波長的投影光刻技術(shù)，是傳統(tǒng)光刻技術(shù)向更短波長的合理延伸。作為下一代光刻技術(shù)，極紫外光刻被行業(yè)賦予拯救摩爾定律的使命。
　　長春光機所應用光學國家重點實驗室研究員金春水告訴《中國科學報》記者：“極紫外光刻光學技術(shù)代表了當前應用光學發(fā)展最高水平，作為前瞻性EUV光刻關(guān)鍵技術(shù)研究，項目指標要求高，技術(shù)難度大、瓶頸多，創(chuàng)新性高，同時國外技術(shù)封鎖嚴重?！?br/>　　自上世紀90年代起，長春光機所開始專注于EUV/X射線成像技術(shù)研究，著重開展了EUV光源、超光滑拋光技術(shù)、EUV多層膜及相關(guān)EUV成像技術(shù)研究，形成了極紫外光學的應用技術(shù)基礎(chǔ)。
　　2002年，長春光機所研制國內(nèi)第一套EUV光刻原理裝置，實現(xiàn)了EUV光刻的原理性貫通。2008年國家“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”科技重大專項將EUV光刻技術(shù)列為“32-22nm裝備技術(shù)前瞻性研究”重要攻關(guān)任務。長春光機所作為牽頭單位，承擔起了“極紫外光刻關(guān)鍵技術(shù)研究”項目研究工作，成員單位還包括中國科學院光電技術(shù)研究所、中國科學院上海光學精密機械研究所、中國科學院微電子研究所、北京理工大學、哈爾濱工業(yè)大學、華中科技大學。
　　金春水率領(lǐng)的長春光機所項目研究團隊秉承鍥而不舍的科研精神，潛心鉆研，厚積薄發(fā)，歷經(jīng)八年的艱苦奮戰(zhàn)，突破了制約我國極紫外光刻發(fā)展的超高精度非球面加工與檢測、極紫外多層膜、投影物鏡系統(tǒng)集成測試等核心單元技術(shù)，成功研制了波像差優(yōu)于0.75 nm RMS 的兩鏡EUV 光刻物鏡系統(tǒng)，構(gòu)建了EUV 光刻曝光裝置，在國內(nèi)首次獲得EUV 投影光刻32 nm 線寬的光刻膠曝光圖形。
　　金春水說：“我們建立了較為完善的曝光光學系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)平臺，圓滿完成國家重大專項部署的研究內(nèi)容與任務目標，實現(xiàn)EUV 光學成像技術(shù)跨越，顯著提升了我國極紫外光刻核心光學技術(shù)水平?！?br/>　　同時，項目的實施形成了一支穩(wěn)定的研究團隊，為我國能夠在下一代光刻技術(shù)領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展奠定堅實的技術(shù)與人才基礎(chǔ)。
　　驗收會上，長春光機所所長賈平指出，從時機及技術(shù)難度方面考慮，EUV項目的布局正處于窗口期，希望國家給予持續(xù)穩(wěn)定的支持。他鼓勵項目參研單位進一步發(fā)揮EUV學科優(yōu)勢，鼓足勇氣并肩奮斗，在后續(xù)支持下取得更好的成果。
　　02專項總體組技術(shù)總師、中科院微電子研究所所長葉甜春也強調(diào)，在國際上EUV光刻大生產(chǎn)基地已經(jīng)建立的形勢下，我國EUV光刻研究要繼續(xù)堅持下去，面向未來產(chǎn)業(yè)工程化需求，著力點要放在必須掌握的核心技術(shù)和有可能取得創(chuàng)新的突破點。
　　此外，葉甜春評價長春光機所光刻機隊伍是承擔最核心、最高端、最艱苦任務的隊伍，也是專項團隊中最有戰(zhàn)斗力、最能抗壓、最值得信任的主力部隊。他鼓勵項目團隊肩負重大任務的責任與使命感，繼續(xù)堅持勇攀高峰。
　　02專項光刻機工程指揮部總指揮、科技部原副部長曹健林是國內(nèi)熟悉EUV光刻的領(lǐng)域?qū)＜抑?。他認為我國已初步具備光刻技術(shù)的研發(fā)能力，并向著產(chǎn)業(yè)化目標前進，30年前的“中國光刻夢”正在逐步變?yōu)楝F(xiàn)實，通過我國光刻技術(shù)研發(fā)能力的建設(shè)初步樹立了堅持“中國光刻夢”的信心。
　?。ㄔd于《中國科學報》 2017-07-10 第5版 創(chuàng)新周刊)