——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求
——中國科學(xué)院辦院方針
語音播報(bào)
潛心相變存儲器研究15年,中科院上海微系統(tǒng)所研究院宋志棠團(tuán)隊(duì)在130納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)相變存儲器技術(shù)研發(fā)取得重大突破。近4年來,通過和珠海艾派克微電子有限公司產(chǎn)學(xué)研用協(xié)同合作開發(fā)的打印機(jī)用相變存儲器芯片,實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化銷售。截至今年6月,該芯片已銷售1600萬顆。這是記者從6月28日上海微系統(tǒng)所舉行的成果發(fā)布會上獲悉的。
相變存儲器是近年來科學(xué)家研究的新型存儲器之一。目前國際上僅有三星、鎂光、英特爾推出了相變存儲產(chǎn)品。為了打破這一局面,宋志棠團(tuán)隊(duì)從2003年于國內(nèi)率先開展相變存儲器的研發(fā)。在中科院上海微系統(tǒng)所和中芯國際的支持下,雙方共同組建研發(fā)團(tuán)隊(duì),搭建起8—12英寸相變存儲器研發(fā)平臺,并于2007年進(jìn)一步建立了“納米半導(dǎo)體存儲技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室”,經(jīng)過多年研究取得了多項(xiàng)重大技術(shù)進(jìn)展,建立了1.6億關(guān)鍵的相變存儲器專用平臺,實(shí)現(xiàn)了相變材料制備工藝與中芯國際180nm-28nm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝的無縫對接,使我國的相變存儲器芯片研發(fā)條件達(dá)到了國際先進(jìn)水平。為加快推進(jìn)相變存儲器的產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程, 2012年中科院上海微系統(tǒng)所與行業(yè)龍頭企業(yè)艾派克合作。
據(jù)艾派克副總經(jīng)理丁勵(lì)介紹,三方聯(lián)合設(shè)計(jì)的Kb級打印機(jī)用相變存儲器芯片于2016年實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化,供貨4個(gè)多月來尚未出現(xiàn)任何問題。未來三方將進(jìn)一步開發(fā)110-40納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的打印機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域相變存儲器芯片,為嵌入式相變存儲器技術(shù)發(fā)展和大容量相變存儲器芯片應(yīng)用積累更加豐富的工程經(jīng)驗(yàn)。
?。ㄔd于《科技日報(bào)》 2017-07-03 07版)
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