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加快打造原始創(chuàng)新策源地，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)，努力搶占科技制高點(diǎn)，為把我國(guó)建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國(guó)作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國(guó)科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場(chǎng)、面向國(guó)家重大需求、面向人民生命健康，率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展，率先建成國(guó)家創(chuàng)新人才高地，率先建成國(guó)家高水平科技智庫(kù)，率先建設(shè)國(guó)際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國(guó)科學(xué)院辦院方針

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【中國(guó)科學(xué)報(bào)】硅光子平臺(tái)開發(fā)獲重要成果

2017-03-20 中國(guó)科學(xué)報(bào) 王晨緋

【字體：大中小】

語(yǔ)音播報(bào)

　　近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員閆江團(tuán)隊(duì)在硅光子平臺(tái)開發(fā)方面取得新進(jìn)展，完成硅基波導(dǎo)集成的鍺探測(cè)器和硅基調(diào)制器的流片并取得優(yōu)良結(jié)果。

　　硅光子技術(shù)是集成電路后摩爾時(shí)代的發(fā)展方向之一，旨在利用基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS)工藝的大規(guī)模集成電路技術(shù)在硅基襯底上進(jìn)行光子器件和芯片的開發(fā)，最終實(shí)現(xiàn)光電單片集成。硅光子技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于充分利用成熟的CMOS基礎(chǔ)設(shè)施和經(jīng)驗(yàn)，根據(jù)市場(chǎng)需要，實(shí)現(xiàn)低成本大規(guī)模量產(chǎn)。但光子器件和芯片的材料選擇和工藝流程與集成電路存在一定的差異，需要進(jìn)行相關(guān)工藝的開發(fā)。近年來，歐美等國(guó)在硅光子領(lǐng)域已有大量投入和經(jīng)驗(yàn)積累，并逐漸形成產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。我國(guó)雖在分立器件的設(shè)計(jì)和制作方面成果顯著，但國(guó)內(nèi)尚無完善的硅光子工藝平臺(tái)，國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)的高端硅光子芯片基本都要在國(guó)外流片，導(dǎo)致成本高、周期長(zhǎng)、難以進(jìn)行工藝定制等問題，很大程度上制約了我國(guó)硅光子技術(shù)的發(fā)展。

　　微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心擁有一條完整的8英寸CMOS工藝線，2011年建成以來出色完成了多項(xiàng)國(guó)家重大科技專項(xiàng)課題。2015年，該中心結(jié)合微電子技術(shù)和光電子技術(shù)融合的發(fā)展趨勢(shì)，果斷組織團(tuán)隊(duì)，依托先導(dǎo)中心CMOS工藝線進(jìn)行硅光子工藝技術(shù)的開發(fā)。硅光子團(tuán)隊(duì)成立以來開展了大量細(xì)致的研發(fā)工作，并與中科院半導(dǎo)體研究所、中電38所和武漢郵電科學(xué)院緊密合作，聯(lián)合成立了硅光子平臺(tái)開發(fā)小組，發(fā)揮各單位優(yōu)勢(shì)，確立了硅光子平臺(tái)工藝設(shè)計(jì)工具包（PDK）方案，設(shè)計(jì)了硅光子無源和有源器件庫(kù)版圖，進(jìn)行了多次工藝流片實(shí)驗(yàn)。經(jīng)過近兩年的努力，成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge（鍺）光電探測(cè)器等有源器件。

　　此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件，使微電子所硅光子平臺(tái)具有為業(yè)界提供基于180nm 工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶提供完整硅光子多項(xiàng)目晶圓（MPW）和定制流片服務(wù)的平臺(tái)，將為我國(guó)硅光子研究和應(yīng)用開發(fā)提供有力支撐。

　?。ㄔd于《中國(guó)科學(xué)報(bào)》 2017-03-20 第5版創(chuàng)新周刊)

　　近日，中國(guó)科學(xué)院微電子研究所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心研究員閆江團(tuán)隊(duì)在硅光子平臺(tái)開發(fā)方面取得新進(jìn)展，完成硅基波導(dǎo)集成的鍺探測(cè)器和硅基調(diào)制器的流片并取得優(yōu)良結(jié)果。
　　硅光子技術(shù)是集成電路后摩爾時(shí)代的發(fā)展方向之一，旨在利用基于互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS)工藝的大規(guī)模集成電路技術(shù)在硅基襯底上進(jìn)行光子器件和芯片的開發(fā)，最終實(shí)現(xiàn)光電單片集成。硅光子技術(shù)的優(yōu)勢(shì)在于充分利用成熟的CMOS基礎(chǔ)設(shè)施和經(jīng)驗(yàn)，根據(jù)市場(chǎng)需要，實(shí)現(xiàn)低成本大規(guī)模量產(chǎn)。但光子器件和芯片的材料選擇和工藝流程與集成電路存在一定的差異，需要進(jìn)行相關(guān)工藝的開發(fā)。近年來，歐美等國(guó)在硅光子領(lǐng)域已有大量投入和經(jīng)驗(yàn)積累，并逐漸形成產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢(shì)。我國(guó)雖在分立器件的設(shè)計(jì)和制作方面成果顯著，但國(guó)內(nèi)尚無完善的硅光子工藝平臺(tái)，國(guó)內(nèi)設(shè)計(jì)的高端硅光子芯片基本都要在國(guó)外流片，導(dǎo)致成本高、周期長(zhǎng)、難以進(jìn)行工藝定制等問題，很大程度上制約了我國(guó)硅光子技術(shù)的發(fā)展。
　　微電子所集成電路先導(dǎo)工藝研發(fā)中心擁有一條完整的8英寸CMOS工藝線，2011年建成以來出色完成了多項(xiàng)國(guó)家重大科技專項(xiàng)課題。2015年，該中心結(jié)合微電子技術(shù)和光電子技術(shù)融合的發(fā)展趨勢(shì)，果斷組織團(tuán)隊(duì)，依托先導(dǎo)中心CMOS工藝線進(jìn)行硅光子工藝技術(shù)的開發(fā)。硅光子團(tuán)隊(duì)成立以來開展了大量細(xì)致的研發(fā)工作，并與中科院半導(dǎo)體研究所、中電38所和武漢郵電科學(xué)院緊密合作，聯(lián)合成立了硅光子平臺(tái)開發(fā)小組，發(fā)揮各單位優(yōu)勢(shì)，確立了硅光子平臺(tái)工藝設(shè)計(jì)工具包（PDK）方案，設(shè)計(jì)了硅光子無源和有源器件庫(kù)版圖，進(jìn)行了多次工藝流片實(shí)驗(yàn)。經(jīng)過近兩年的努力，成功開發(fā)了系列硅光子流片工藝模塊和初版PDK，而最近有源工藝的成功開發(fā)，將向標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)中添加加熱電極、調(diào)制器和Ge（鍺）光電探測(cè)器等有源器件。
　　此次有源器件流片的成功，加上先導(dǎo)中心2016年上半年開發(fā)成功的硅光子無源工藝及器件，使微電子所硅光子平臺(tái)具有為業(yè)界提供基于180nm 工藝的硅光子流片服務(wù)的能力，成為國(guó)內(nèi)首個(gè)基于8英寸CMOS工藝線向用戶提供完整硅光子多項(xiàng)目晶圓（MPW）和定制流片服務(wù)的平臺(tái)，將為我國(guó)硅光子研究和應(yīng)用開發(fā)提供有力支撐。
　?。ㄔd于《中國(guó)科學(xué)報(bào)》 2017-03-20 第5版創(chuàng)新周刊)

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