回望2023年，全球科技發(fā)展日新月異，我國創(chuàng)新實(shí)力不斷提升，取得一系列令人振奮的突破性進(jìn)展和標(biāo)志性成果。近期，中央各大媒體等陸續(xù)評(píng)選出2023年度國內(nèi)國際科技進(jìn)展新聞或發(fā)布年度科技進(jìn)展回顧盤點(diǎn)。揭示衰老新機(jī)制、“中國天眼”探測(cè)到低頻引力波存在證據(jù)、發(fā)現(xiàn)在鹽堿地上促進(jìn)糧食增產(chǎn)關(guān)鍵基因、制備51個(gè)超導(dǎo)量子比特簇態(tài)、圓環(huán)陣太陽射電成像望遠(yuǎn)鏡正式建成、國家太空實(shí)驗(yàn)室正式運(yùn)行、觀測(cè)到M87星系中心黑洞噴流周期性進(jìn)動(dòng)……中國科學(xué)院主導(dǎo)或參與完成的多項(xiàng)創(chuàng)新成果入選其中。
超越硅基極限的二維晶體管問世
來源：中國科學(xué)報(bào)【字號(hào)：大 中 小】
芯片是信息世界的基礎(chǔ)核心，傳統(tǒng)晶體管因接近物理極限而制約了芯片的進(jìn)一步發(fā)展。原子級(jí)厚度的二維半導(dǎo)體理論上在未來節(jié)點(diǎn)更具潛力，但受限于其技術(shù)瓶頸，至今所有二維晶體管均不能媲美業(yè)界硅基器件。
北京大學(xué)彭練矛院士、邱晨光研究員團(tuán)隊(duì)構(gòu)筑了10納米超短溝道彈道二維硒化銦晶體管。創(chuàng)造性地提出“稀土釔元素?fù)诫s誘導(dǎo)二維相變理論”，并發(fā)明了“原子級(jí)可控精準(zhǔn)摻雜技術(shù)”，從而成功克服了二維領(lǐng)域金屬和半導(dǎo)體接觸的國際難題，首次使得二維晶體管實(shí)際性能超過業(yè)界硅基10納米節(jié)點(diǎn)Fin晶體管和國際半導(dǎo)體路線圖預(yù)測(cè)的硅極限，并且將二維晶體管的工作電壓降到0.5V，室溫彈道率提升至所有晶體管最高紀(jì)錄的 83%，研制出國際上迄今速度最快、能耗最低的二維晶體管。相關(guān)成果3月22日發(fā)表于《自然》。
（責(zé)任編輯：侯茜）
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