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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關(guān)鍵核心技術(shù),努力搶占科技制高點,為把我國建設(shè)成為世界科技強國作出新的更大的貢獻。

——習近平總書記在致中國科學院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實現(xiàn)科學技術(shù)跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設(shè)國際一流科研機構(gòu)。

——中國科學院辦院方針

首頁 > 院內(nèi)要聞

中科院半導體材料與光電子器件科教融合卓越中心咨詢論證會召開

2014-12-30 半導體研究所
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語音播報

  1216日,中國科學院半導體材料與光電子器件科教融合卓越中心咨詢論證會在北京召開。中科院發(fā)展規(guī)劃局、前沿科學與教育局邀請13名院內(nèi)外同行專家和管理專家,對該中心進行了咨詢論證。中科院院士、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦任專家組組長。中科院發(fā)展規(guī)劃局副局長張鳳主持咨詢論證會。 

  張鳳首先介紹了中科院實施“率先行動”計劃以來的重要舉措、四類機構(gòu)分類改革的總體要求、卓越中心的建設(shè)標準,以及咨詢論證會的目的和要求。 

  會上,中科院院士、中科院半導體研究所所長李樹深作了《中國科學院半導體材料與光電子器件科教融合卓越中心建設(shè)具體實施方案》專題匯報,從發(fā)展戰(zhàn)略及定位使命、研究方向布局、預(yù)期重大產(chǎn)出、人才隊伍結(jié)構(gòu)、科教融合舉措、組織管理創(chuàng)新、資源條件保障七個方面闡述了該中心的建設(shè)實施方案。中心相關(guān)研究領(lǐng)域負責人譚平恒、劉峰奇、黃永箴分別就低維材料物性與器件機理、半導體光電功能材料、半導體光電子器件與集成三個研究方向進行了匯報。 

  咨詢論證專家組成員認真聽取了匯報,認為中科院半導體材料與光電子器件科教融合卓越中心定位準確,具有基礎(chǔ)性、戰(zhàn)略性和前瞻性,對中心組織機制和管理模式有充分的考慮和設(shè)計,有望取得原創(chuàng)性成果和預(yù)期產(chǎn)出。方案成熟,合理可行。同時,專家組也對該中心的建設(shè)和進一步發(fā)展提出了建議。 

  中科院發(fā)展規(guī)劃局、前沿科學與教育局有關(guān)負責人,中科院半導體研究所、化學研究所、長春應(yīng)用化學研究所、上海技術(shù)物理研究所、上海高等研究院以及北京大學等單位有關(guān)院士、專家等參加了會議。

論證會現(xiàn)場

打印 責任編輯:任霄鵬

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