亚洲色欲在线播放专区之一_五月天无码久久AV_日本人妖一区二区久久网_日本人妖一区二区久久网

国产成人亚洲欧美91_在线看片免费人成视频丨_久久免費视频精品_在线观看网站深夜免费A√

加快打造原始創(chuàng)新策源地，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)，努力搶占科技制高點(diǎn)，為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康，率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展，率先建成國家創(chuàng)新人才高地，率先建成國家高水平科技智庫，率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

首頁 > 科研進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所等在六方氮化硼合成新機(jī)制研究中取得進(jìn)展

2020-10-12 上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

【字體：大中小】

語音播報(bào)

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員吳天如研究團(tuán)隊(duì)和華東師范大學(xué)教授袁清紅研究團(tuán)隊(duì)，基于原位合成、表征研究與第一性原理計(jì)算方法，提出鐵硼（Fe₂B）合金表面高質(zhì)量多層六方氮化硼（h-BN）原子空位輔助生長新機(jī)制。相關(guān)研究成果以Vacancy-Assisted Growth Mechanism of Multilayer Hexagonal Boron Nitride on a Fe₂B Substrate為題，在線發(fā)表在《物理化學(xué)快報(bào)》上。

　　h-BN以原子級(jí)平整表面、無懸掛鍵、高導(dǎo)熱性和良好的理化穩(wěn)定性等優(yōu)勢，成為具有潛力的二維晶體器件的介質(zhì)襯底和封裝材料。近年來，上海微系統(tǒng)所聚焦于二維晶體理論研究、器件工藝、規(guī)?；瘧?yīng)用面臨的難題，在單層h-BN單晶生長、異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑及高質(zhì)量多層h-BN制備等領(lǐng)域開展研究（Nature Communications, 2015, 6, 6160；Advanced Science, 2017, 4, 1700076；Nature Communications, 2020, 11, 849）。由于h-BN先進(jìn)合成技術(shù)發(fā)展較慢，缺乏對(duì)傳統(tǒng)方法生長機(jī)制的研究，限制了大尺寸、高質(zhì)量h-BN可控合成與實(shí)際應(yīng)用。

　　吳天如研究團(tuán)隊(duì)基于Fe₂B合金體系實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量h-BN可控制備，通過快速冷卻淬火技術(shù)結(jié)合飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS），分析h-BN合成過程中Fe₂B淺表層B原子和N原子分布規(guī)律。袁清紅研究團(tuán)隊(duì)采用第一性原理計(jì)算方法，研究Fe₂B表面h-BN的生長機(jī)制，提出Fe₂B表面h-BN的空位輔助合成機(jī)制。研究發(fā)現(xiàn)，B-N二聚體產(chǎn)生使合金表面形成大量B空位，對(duì)B、N原子的遷移起到較大的促進(jìn)作用。Fe₂B基底中B和N原子的擴(kuò)散僅需克服小于1.5 eV的能壘，使得N原子在催化表面附近大量溶解。此外，通過對(duì)不同尺寸B-N團(tuán)簇的形成能和吉布斯自由能的計(jì)算和擬合，研究發(fā)現(xiàn)Fe₂B表面h-BN成核能壘約2 eV。因此，在相對(duì)較低溫度（700 K）下合成h-BN成為可能。該研究提出的“空位輔助”生長新機(jī)制，解決傳統(tǒng)方法合成多層h-BN長久以來缺乏高N溶解度和擴(kuò)散速率的催化劑的難題，為h-BN在二維納米電子學(xué)及新興微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用提供空間。

　　華東師范大學(xué)與上海微系統(tǒng)所聯(lián)合培養(yǎng)碩士姜忍、上海微系統(tǒng)所博士時(shí)志遠(yuǎn)和華東師范大學(xué)碩士趙威為論文共同第一作者，吳天如與袁清紅為論文共同通訊作者。研究工作獲得國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)（B類）、中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)、上海超級(jí)計(jì)算中心、上海市青年科技啟明星計(jì)劃、上海市青年科技英才揚(yáng)帆計(jì)劃以及上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)的資助。

　　論文鏈接

圖1.Fe₂B合金表面多層h-BN合成機(jī)制示意圖及近表面N原子擴(kuò)散能量曲線

圖2.基于飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS）的Fe₂B合金淺表層B原子和N原子分布規(guī)律研究

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所副研究員吳天如研究團(tuán)隊(duì)和華東師范大學(xué)教授袁清紅研究團(tuán)隊(duì)，基于原位合成、表征研究與第一性原理計(jì)算方法，提出鐵硼（Fe2B）合金表面高質(zhì)量多層六方氮化硼（h-BN）原子空位輔助生長新機(jī)制。相關(guān)研究成果以Vacancy-Assisted Growth Mechanism of Multilayer Hexagonal Boron Nitride on a Fe2B Substrate為題，在線發(fā)表在《物理化學(xué)快報(bào)》上。
　　h-BN以原子級(jí)平整表面、無懸掛鍵、高導(dǎo)熱性和良好的理化穩(wěn)定性等優(yōu)勢，成為具有潛力的二維晶體器件的介質(zhì)襯底和封裝材料。近年來，上海微系統(tǒng)所聚焦于二維晶體理論研究、器件工藝、規(guī)?；瘧?yīng)用面臨的難題，在單層h-BN單晶生長、異質(zhì)結(jié)構(gòu)筑及高質(zhì)量多層h-BN制備等領(lǐng)域開展研究（Nature Communications, 2015, 6, 6160；Advanced Science, 2017, 4, 1700076；Nature Communications, 2020, 11, 849）。由于h-BN先進(jìn)合成技術(shù)發(fā)展較慢，缺乏對(duì)傳統(tǒng)方法生長機(jī)制的研究，限制了大尺寸、高質(zhì)量h-BN可控合成與實(shí)際應(yīng)用。
　　吳天如研究團(tuán)隊(duì)基于Fe2B合金體系實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量h-BN可控制備，通過快速冷卻淬火技術(shù)結(jié)合飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS），分析h-BN合成過程中Fe2B淺表層B原子和N原子分布規(guī)律。袁清紅研究團(tuán)隊(duì)采用第一性原理計(jì)算方法，研究Fe2B表面h-BN的生長機(jī)制，提出Fe2B表面h-BN的空位輔助合成機(jī)制。研究發(fā)現(xiàn)，B-N二聚體產(chǎn)生使合金表面形成大量B空位，對(duì)B、N原子的遷移起到較大的促進(jìn)作用。Fe2B基底中B和N原子的擴(kuò)散僅需克服小于1.5 eV的能壘，使得N原子在催化表面附近大量溶解。此外，通過對(duì)不同尺寸B-N團(tuán)簇的形成能和吉布斯自由能的計(jì)算和擬合，研究發(fā)現(xiàn)Fe2B表面h-BN成核能壘約2 eV。因此，在相對(duì)較低溫度（700 K）下合成h-BN成為可能。該研究提出的“空位輔助”生長新機(jī)制，解決傳統(tǒng)方法合成多層h-BN長久以來缺乏高N溶解度和擴(kuò)散速率的催化劑的難題，為h-BN在二維納米電子學(xué)及新興微電子器件領(lǐng)域的應(yīng)用提供空間。
　　華東師范大學(xué)與上海微系統(tǒng)所聯(lián)合培養(yǎng)碩士姜忍、上海微系統(tǒng)所博士時(shí)志遠(yuǎn)和華東師范大學(xué)碩士趙威為論文共同第一作者，吳天如與袁清紅為論文共同通訊作者。研究工作獲得國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金面上項(xiàng)目、中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)（B類）、中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會(huì)、上海超級(jí)計(jì)算中心、上海市青年科技啟明星計(jì)劃、上海市青年科技英才揚(yáng)帆計(jì)劃以及上海市科學(xué)技術(shù)委員會(huì)的資助。
　　論文鏈接
　　圖1.Fe2B合金表面多層h-BN合成機(jī)制示意圖及近表面N原子擴(kuò)散能量曲線
　　圖2.基于飛行時(shí)間二次離子質(zhì)譜（ToF-SIMS）的Fe2B合金淺表層B原子和N原子分布規(guī)律研究
　　

打印