免费黑人无码A级毛片_av免费A级毛片AV_99久看免费视频_99久看免费视频

国产成人亚洲欧美91_在线看片免费人成视频丨_久久免費视频精品_在线观看网站深夜免费A√

加快打造原始創(chuàng)新策源地，加快突破關(guān)鍵核心技術(shù)，努力搶占科技制高點(diǎn)，為把我國建設(shè)成為世界科技強(qiáng)國作出新的更大的貢獻(xiàn)。

——習(xí)近平總書記在致中國科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟(jì)主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康，率先實(shí)現(xiàn)科學(xué)技術(shù)跨越發(fā)展，率先建成國家創(chuàng)新人才高地，率先建成國家高水平科技智庫，率先建設(shè)國際一流科研機(jī)構(gòu)。

——中國科學(xué)院辦院方針

首頁 > 科研進(jìn)展

上海微系統(tǒng)所超導(dǎo)存儲器件研究取得進(jìn)展

2020-10-09 上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

【字體：大中小】

語音播報(bào)

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員陳壘、王鎮(zhèn)提出了一種新型3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲器件，發(fā)現(xiàn)利用其特有的偏離正弦函數(shù)的電流-位相關(guān)系。研究結(jié)果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-Dimensional Nb Nano-Superconducting Quantum Interference Device為題發(fā)表在ACS Nano期刊上。

　　高速超導(dǎo)存儲器是發(fā)展超導(dǎo)高性能計(jì)算技術(shù)的核心器件之一。長期以來，由于存儲原理、集成度等原因，超導(dǎo)存儲器經(jīng)歷了漫長而遲緩的發(fā)展進(jìn)程。在當(dāng)前眾多低溫超導(dǎo)存儲方案中，通過磁通量子存儲數(shù)據(jù)是唯一有可能實(shí)現(xiàn)皮秒量級的高速讀寫速度，但是由于超導(dǎo)電路在存儲磁通量子時(shí)受到電感條件限制，導(dǎo)致存儲單元物理尺寸（目前60×60 μm²）難以縮小與集成，無法達(dá)到實(shí)際應(yīng)用需求。

　　研究團(tuán)隊(duì)在2016年發(fā)明了一種3D結(jié)構(gòu)的nano-SQUID器件，實(shí)現(xiàn)了器件綜合性能的大幅度提升。在此基礎(chǔ)上，團(tuán)隊(duì)通過深入研究3D nano-SQUID器件的物理和電學(xué)特性，發(fā)現(xiàn)了3D nano-SQUID的電流相位關(guān)系具有偏離約瑟夫森效應(yīng)的正弦函數(shù)關(guān)系，為超導(dǎo)存儲器件研究提供了新的研究思路?；谠撍悸罚芯繄F(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)、制備了一種新型3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲單元（8×9 μm²），并成功驗(yàn)證了存儲單元的讀寫功能，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了偏離正弦函數(shù)的電流-相位關(guān)系在鎖存磁通量子時(shí)可以等效于電路電感，為進(jìn)一步縮小存儲單元面積提供了科學(xué)依據(jù)。

　　陳壘為論文第一作者和通訊作者，王鎮(zhèn)為論文通訊作者。該工作獲得中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)、中科院前沿重點(diǎn)項(xiàng)目、中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會、國家自然基金儀器研發(fā)等項(xiàng)目支持。

　　論文鏈接

3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲單元的設(shè)計(jì)原理圖和器件照片

　　近日，中國科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所研究員陳壘、王鎮(zhèn)提出了一種新型3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲器件，發(fā)現(xiàn)利用其特有的偏離正弦函數(shù)的電流-位相關(guān)系。研究結(jié)果以Miniaturization of the Superconducting Memory Cell via a Three-Dimensional Nb Nano-Superconducting Quantum Interference Device為題發(fā)表在ACS Nano期刊上。
　　高速超導(dǎo)存儲器是發(fā)展超導(dǎo)高性能計(jì)算技術(shù)的核心器件之一。長期以來，由于存儲原理、集成度等原因，超導(dǎo)存儲器經(jīng)歷了漫長而遲緩的發(fā)展進(jìn)程。在當(dāng)前眾多低溫超導(dǎo)存儲方案中，通過磁通量子存儲數(shù)據(jù)是唯一有可能實(shí)現(xiàn)皮秒量級的高速讀寫速度，但是由于超導(dǎo)電路在存儲磁通量子時(shí)受到電感條件限制，導(dǎo)致存儲單元物理尺寸（目前60×60 μm2）難以縮小與集成，無法達(dá)到實(shí)際應(yīng)用需求。
　　研究團(tuán)隊(duì)在2016年發(fā)明了一種3D結(jié)構(gòu)的nano-SQUID器件，實(shí)現(xiàn)了器件綜合性能的大幅度提升。在此基礎(chǔ)上，團(tuán)隊(duì)通過深入研究3D nano-SQUID器件的物理和電學(xué)特性，發(fā)現(xiàn)了3D nano-SQUID的電流相位關(guān)系具有偏離約瑟夫森效應(yīng)的正弦函數(shù)關(guān)系，為超導(dǎo)存儲器件研究提供了新的研究思路?；谠撍悸?，研究團(tuán)隊(duì)設(shè)計(jì)、制備了一種新型3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲單元（8×9 μm2），并成功驗(yàn)證了存儲單元的讀寫功能，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了偏離正弦函數(shù)的電流-相位關(guān)系在鎖存磁通量子時(shí)可以等效于電路電感，為進(jìn)一步縮小存儲單元面積提供了科學(xué)依據(jù)。
　　陳壘為論文第一作者和通訊作者，王鎮(zhèn)為論文通訊作者。該工作獲得中科院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)、中科院前沿重點(diǎn)項(xiàng)目、中科院青年創(chuàng)新促進(jìn)會、國家自然基金儀器研發(fā)等項(xiàng)目支持。
　　論文鏈接
　　3D nano-SQUID超導(dǎo)存儲單元的設(shè)計(jì)原理圖和器件照片
　　

打印