——習(xí)近平總書(shū)記在致中國(guó)科學(xué)院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求
——中國(guó)科學(xué)院辦院方針
院況簡(jiǎn)介
1949年,伴隨著新中國(guó)的誕生,中國(guó)科學(xué)院成立。
作為國(guó)家在科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)和全國(guó)自然科學(xué)與高新技術(shù)的綜合研究與發(fā)展中心,建院以來(lái),中國(guó)科學(xué)院時(shí)刻牢記使命,與科學(xué)共進(jìn),與祖國(guó)同行,以國(guó)家富強(qiáng)、人民幸福為己任,人才輩出,碩果累累,為我國(guó)科技進(jìn)步、經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和國(guó)家安全做出了不可替代的重要貢獻(xiàn)。 更多簡(jiǎn)介 +
院領(lǐng)導(dǎo)集體
機(jī)構(gòu)設(shè)置
創(chuàng)新單元
科技獎(jiǎng)勵(lì)
科技期刊
科技專(zhuān)項(xiàng)
中國(guó)科學(xué)院院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)體系包括戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專(zhuān)項(xiàng)、重點(diǎn)部署科研專(zhuān)項(xiàng)、科技人才專(zhuān)項(xiàng)、科技合作專(zhuān)項(xiàng)、科技平臺(tái)專(zhuān)項(xiàng)5類(lèi)一級(jí)專(zhuān)項(xiàng),實(shí)行分類(lèi)定位、分級(jí)管理。
為方便科研人員全面快捷了解院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)信息并進(jìn)行項(xiàng)目申報(bào)等相關(guān)操作,特搭建中國(guó)科學(xué)院院級(jí)科技專(zhuān)項(xiàng)信息管理服務(wù)平臺(tái)。了解科技專(zhuān)項(xiàng)更多內(nèi)容,請(qǐng)點(diǎn)擊進(jìn)入→
科研進(jìn)展/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
科普?qǐng)鲳^/ 更多
工作動(dòng)態(tài)/ 更多
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文化副刊
反腐倡廉/ 更多
文明天地/ 更多
中國(guó)科學(xué)院學(xué)部
中國(guó)科學(xué)院院部
語(yǔ)音播報(bào)
納米通道中的離子輸運(yùn)特性與機(jī)理是研究細(xì)胞離子通道、離子整流與納濾過(guò)濾的基礎(chǔ)。納米孔道結(jié)構(gòu)與表面修飾對(duì)離子輸運(yùn)調(diào)控的研究工作已有諸多報(bào)道,但關(guān)于電場(chǎng)對(duì)于納米孔道表面與離子輸運(yùn)的影響尚不清楚。
中國(guó)科學(xué)院近代物理研究所科研人員利用HIRFL高能微束裝置的單離子輻照技術(shù)和徑跡蝕刻法制備的PET單納米孔道,系統(tǒng)地研究了電場(chǎng)調(diào)控對(duì)納米通道表面電荷與離子輸運(yùn)的影響。研究發(fā)現(xiàn)二價(jià)和三價(jià)陽(yáng)離子對(duì)PET納米孔道分別具有可逆和不可逆的表面電荷修飾作用,首次報(bào)道了納米孔道離子整流狀態(tài)轉(zhuǎn)變的閾值電壓存在。在電場(chǎng)作用下,納米孔道離子傳輸特性轉(zhuǎn)變主要是由于超過(guò)閾值電場(chǎng)時(shí),孔道表面PET分子鏈的羧基-陽(yáng)離子鍵破裂導(dǎo)致陽(yáng)離子解離與孔道表面分子鏈重排,從而引起表面電荷密度與等效納米孔道口徑變化。這些發(fā)現(xiàn)可能揭示了電壓門(mén)控生物離子通道的工作機(jī)制,為微納孔道離子整流與過(guò)濾控制提供了新的視角,在離子分離、生物分子檢測(cè)和納米通道能量收集等領(lǐng)域有著潛在的應(yīng)用前景。
該工作得到國(guó)家自然科學(xué)基金項(xiàng)目支持,成果發(fā)表在期刊ACS Applied Materials & Interfaces上。
圖1 多價(jià)態(tài)離子濃度對(duì)納米通道中離子載流子的影響
圖2 納米孔道的離子傳輸特性在超過(guò)閾值電場(chǎng)時(shí)發(fā)生狀態(tài)轉(zhuǎn)變
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