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　　近日，中科院金屬所研究人員利用范德華人工堆垛技術，在少數(shù)原子層硫化鉬與金屬電極之間插層高質量六方氮化硼（h-BN）隧穿結構，成功制造出能夠通過門電壓調制的雙極反向整流器件。
　　該項研究工作由沈陽材料科學國家（聯(lián)合）實驗室磁學與磁性材料研究部研究員張志東與韓拯主持，研究成果在單個納米器件中集成了場效應管與多工作組態(tài)二極管，有望開辟基于二維原子晶體的超微型信息器件的新途徑，并在線發(fā)表于英國《自然—通訊》期刊。
　　范德華堆垛方法是近年來興起的凝聚態(tài)物理研究前沿之一，其利用層狀材料的范德華結合力，將不同的二維、準二維材料人工堆垛成為任意異質結構，可以大大降低受基底材料的局限。
　　金屬所研究人員發(fā)明了倒置范德華堆垛的新方法，解決了傳統(tǒng)范德華垂直異質結構難以獲得高質量超薄頂層的結構性難題，目前已申請中國專利一項?；谏鲜龅怪棉D印范德華堆垛的制備方法，金屬所研究人員以少數(shù)層二硫化鉬為研究體系，利用超?。ㄉ贁?shù)原子層）的六方氮化硼作為范德瓦爾斯異質結的隧穿層，系統(tǒng)開展了隧穿晶體管器件研究。
　　研究表明，通過在金屬Au（金）和半導體硫化鉬界面之間引入隧穿h-BN，可有效降低界面處的肖脫基勢壘，從而實現(xiàn)通過局域石墨背柵的對通道硫化鉬費米能級的精確靜電調控。所獲得的硫化鉬隧穿晶體管僅通過門電壓調控即可以實現(xiàn)具有不同功能的整流器件，包括pn二極管、全關、np二極管、全開器件。
　?。ㄔd于《中國科學報》 2017-10-30 第5版 創(chuàng)新周刊)