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加快打造原始創(chuàng)新策源地,加快突破關鍵核心技術,努力搶占科技制高點,為把我國建設成為世界科技強國作出新的更大的貢獻。

——習近平總書記在致中國科學院建院70周年賀信中作出的“兩加快一努力”重要指示要求

面向世界科技前沿、面向經(jīng)濟主戰(zhàn)場、面向國家重大需求、面向人民生命健康,率先實現(xiàn)科學技術跨越發(fā)展,率先建成國家創(chuàng)新人才高地,率先建成國家高水平科技智庫,率先建設國際一流科研機構。

——中國科學院辦院方針

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微系統(tǒng)所十幾年堅持下一代存儲器研發(fā),基礎研發(fā)與企業(yè)聯(lián)合并進

未來存儲器有望實現(xiàn)“彎道超車”

2017-06-30 文匯報 許琦敏
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  手機App上輕輕一按,裝載有國產(chǎn)控制芯片的打印機里就吐出需要打印的照片,速度之快,讓蘋果的airprint也自嘆不如。這其中的奧妙就在于芯片上使用了下一代存儲器PCRAM。

  近日,記者從中科院上海微系統(tǒng)與信息技術研究所獲悉,由該所宋志棠研究員課題組傾注十幾年心血,從基礎研究做到產(chǎn)業(yè)化的PCRAM,如今已集成在芯片上售出1500萬片,實現(xiàn)銷售額超過億元。他們與中芯國際等企業(yè),共同推進產(chǎn)業(yè)化,有望在每年市場價值幾十億美元的嵌入式芯片存儲器領域實現(xiàn)“彎道超車”。

  挑戰(zhàn)下一代存儲器產(chǎn)業(yè)化

  大到數(shù)據(jù)中心,小到一個小小芯片,都離不開動態(tài)內(nèi)存(DRAM)?,F(xiàn)在通用的DRAM有一個致命的缺點,那就是怕斷電——一旦斷電,在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)就會瞬間消失,再也找不回來。雖然也有可以隨時保存數(shù)據(jù)的閃存(FLASH),可數(shù)據(jù)擦寫、讀取都很慢。所以,盡管這些存儲器在各種地方廣泛使用,科學家總希望找到一種更完美的下一代存儲器。

  相變存儲器(PCRAM)就是這樣一種理想的存儲器:它通過電流和磁場的開關,讓存儲材料在晶體和非晶體間切換。由于改變的是材料的物理狀態(tài),所以即使斷電,這種狀態(tài)也不會消失,同時還可以實現(xiàn)很快的擦寫速度。

  早在2002年,宋志棠就開始關注這個方向。“現(xiàn)在的主流存儲器,也曾經(jīng)過慘烈的技術競爭,當時中國并沒有什么核心技術,基本被排斥在這個市場之外?!彼f,在下一代存儲器的幾種技術中,PCRAM是最接近產(chǎn)業(yè)化的,“如果我們可以有所突破,將可能在下一代存儲器領域實現(xiàn)‘彎道超車’,發(fā)展自主知識產(chǎn)權?!?/p>

  從適合現(xiàn)有科研水平的市場入手

  “如果再來一次,估計我不會一頭扎進去,太難了!”宋志棠說,在研究所的支持下,他的課題組從2003年開始不斷尋找適合做PCRAM的材料,材料找到了,卻無法做成納米級器件——如果做不出,什么實用價值都沒有。可研究所沒有做器件的條件,怎么辦?

  一次偶然的機會,他找到了中芯國際集成電路制造(上海)有限公司,雙方一拍即合,共同組建團隊,申請國家項目,搭建起8至12英寸PCRAM研發(fā)平臺,并于2007年1月建立了“納米半導體存儲技術聯(lián)合實驗室”。

  微系統(tǒng)側重解決科學問題,中芯國際主攻工藝開發(fā),經(jīng)過14年努力,終于實現(xiàn)相變材料制備工藝和中芯國際180納米-28納米標準CMOS工藝無縫對接。

  為了契合中芯國際的技術優(yōu)勢,微系統(tǒng)所定下了一條PCRAM的產(chǎn)業(yè)化路線:避開英特爾、三星等已在大力投入和布局的非嵌入式芯片領域,專攻在大量消費類電子產(chǎn)品使用的嵌入式芯片?!笆謾C等消費類電子產(chǎn)品,我國本就是制造大國,產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品升級都會對嵌入式芯片提出大量需求?!彼沃咎恼f,盡管這塊市場沒有非嵌入式芯片存儲器的市場大,但更適合中國現(xiàn)有的科研和技術水平。

  做成器件,還得能應用,才能實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。這時,珠海埃派克科技股份有限公司通過科技新聞報道找到了宋志棠。從2011年起,該公司幾乎年年投入上億元研發(fā)經(jīng)費,為企業(yè)未來的技術優(yōu)勢投資。

  “高??梢宰鲆磺酒米詈玫囊活w來發(fā)論文,但企業(yè)卻要找出最差的那顆來改進技術?!倍钫f,最新研發(fā)的打印機芯片,如今已售出1500萬片,4個月來用戶反映出錯率低于千分之一。

  基礎研究不斷獲得領先優(yōu)勢

  微系統(tǒng)所PCRAM項目組研究員陳后鵬解釋,現(xiàn)用存儲器的數(shù)據(jù)讀取方法,就好像從一個圖書館里取資料,硬盤、固化內(nèi)存等就像書庫,DRAM就好比閱覽區(qū)——必須把數(shù)據(jù)從書庫里找到,提取到閱覽區(qū),才能計算、操作,最后根據(jù)需要存儲下來。但PCRAM卻好像超級大黑板,所有數(shù)據(jù)都能直接找到并操作,省去了數(shù)據(jù)“搬運”過程,運算速度直線上升。

  “我們測試了100兆的數(shù)據(jù)搜索,用PCRAM只需1秒,比傳統(tǒng)存儲器快了19倍?!标惡簌i說,100兆的數(shù)據(jù)量相當于一部《二十五史》的信息量。

  目前,宋志棠團隊是世界上唯一掌握嵌入式芯片PCRAM核心技術的。不過,存儲器技術更迭向來風云變幻。要尋找功耗更低、速度更快的相變存儲器材料,還得依靠基礎研究的不斷突破。

  如今,宋志棠團隊已在實驗室找到了性能更好的材料,正在進行性能測試?!?011年,我們的8兆芯片就實現(xiàn)了全部存儲功能,當時錄下的音頻,現(xiàn)在還能清晰播放?!彼沃咎恼f,那還是180納米芯片的技術,現(xiàn)在他們正在主攻40納米芯片的存儲器,這是國家集成電路科技重大專項的主要任務。

  初步打通“原始創(chuàng)新—技術開發(fā)—產(chǎn)業(yè)化”鏈條的全部關鍵環(huán)節(jié),在產(chǎn)學研緊密配合的模式下,國產(chǎn)PCRAM技術將為我國的半導體行業(yè)帶來新發(fā)展契機。

 ?。ㄔd于《文匯報》 2017-06-30 07版)

打印 責任編輯:侯茜

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